Samsung ha anunciado un nuevo chip de almacenamiento interno para sus móviles. Lo hace a tiempo para la presentación de los Samsung Galaxy S10.

Se trata del primer chip de almacenamiento eUFS 2.1 de 1TB del mercado, y todo apunta a que es el que incluirá el Samsung Galaxy S10+, el modelo más potente. Por lo tanto, el modelo de la compañía podría llegar con una versión de 1 TB de almacenamiento interno. Este chip cuenta con una velocidad de lectura de 1.000 MB/s, unas 10 veces más rápida que una tarjeta micro SD y un 38 por ciento más rápido que el anterior chip de 500 GB de la compañía. Además, su almacenamiento nos permitirá guardar entorno a unos 260 vídeos de 10 minutos y grabados en resolución 4K.

Samsung ya lanzó en 2017 el primer chip con almacenamiento de 500 GB. En este caso, supera en almacenamiento pero no en el tamaño del chip, ya que cuenta con 16 capas apiladas de memoria flash NAND V-512-gigabit de la propia compañía. Esta memoria interna llegará con el Samsung Galaxy S10, pero también podríamos verla en otros dispositivos, ya que Samsung la venderá a otros fabricantes.

Vía: SamMoBile.